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上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 140

kri射頻離子源rficp 140上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 kri射頻離子源rficp 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中,射頻離子源rficp 140 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 就標(biāo)準(zhǔn)的型號(hào)而言, 可以在離子能量為 100~1200 ev 范圍內(nèi)獲得很高的離子密度. 可以輸出 600 ma 離子流.
kri射頻離子源rficp 140 技術(shù)參數(shù):
陽(yáng)極
電感耦合等離子體
1kw & 1.8 mhz
射頻自動(dòng)匹配
陽(yáng)極功率
1kw
離子束流
> 500ma
電壓范圍
100-1200v
離子束動(dòng)能
100-1200ev
氣體
ar, o2, n2,其他
流量
5-40sccm
壓力
< 0.5mtorr
離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)
optibeamtm
離子束柵極
14cm φ
柵極材質(zhì)
鉬, 石墨
離子束流形狀
平行,聚焦,散射
中和器
lfn 2000
高度
25.1 cm
直徑
24.6 cm
鎖緊安裝法蘭
12”cf
kri射頻離子源rficp 140 應(yīng)用領(lǐng)域:預(yù)清洗表面改性輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)ibad,濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 pc離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) ibsd離子蝕刻 ibe1978 年 dr. kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 kaufman & robinson, inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)利. 離子源廣泛用于離子清洗 pc, 離子蝕刻 ibe, 輔助鍍膜 ibad, 離子濺射鍍膜 ibsd 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源總代理.
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