氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)

氦質(zhì)譜檢漏儀cvd 設(shè)備檢漏, 滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)
上海伯東某客戶是一家以**化合物半導(dǎo)體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, **產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5g 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導(dǎo)體芯片. 芯片在生產(chǎn)過程中使用 cvd 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過 1e-10 mbrl l/s.
cvd設(shè)備檢漏要求
真空模式下, 漏率不能過 1e-10 mbrl l/s
快速抽空, 清潔無損的檢漏
上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀cvd 設(shè)備檢漏方案
根據(jù)客戶 cvd 抽氣腔體大小和要求清潔無油的測試環(huán)境, 上海伯東推薦德國 pfeiffer無油干式氦質(zhì)譜檢漏儀 asm 340d搭配日本iwata isp-500c 渦旋干泵進(jìn)行 cvd 設(shè)備檢漏.
檢漏過程: 真空模式檢漏, cvd 設(shè)備, 氦質(zhì)譜檢漏儀 asm340 d 和 isp-500c 渦旋泵搭建為三通系統(tǒng), 檢漏流程是先把 cvd 設(shè)備封閉, 再打開檢漏的接口, 然后啟動(dòng)渦旋泵預(yù)抽腔體真空至 1500 pa. 腔體真空度穩(wěn)定在 1500 pa 后, 啟動(dòng)氦質(zhì)譜檢漏儀, 設(shè)定檢漏儀漏率為 1e-10 mbrl l/s, 從腔體外面噴氦氣 he(在懷疑有漏的部位,比如閥門, 接口, 焊接處等地方), 如果漏率** 1e-10 mbrl l/s, 則判定為設(shè)備泄漏率是合格的, 如果泄漏率** 1e-10 mbrl l/s, 檢漏儀會(huì)報(bào)警, 并**定量顯示噴氦氣的位置和漏率.
型號(hào)
asm 340 d
對(duì)氦氣的小檢測漏率
5e-13 pa m3/s
檢測模式
真空模式和吸式
檢測氣體
4he, 3he, h2
啟動(dòng)時(shí)間 min
3
對(duì)氦氣的抽氣速度 l/s
2.5
進(jìn)氣口大壓力 hpa
25
前級(jí)泵抽速 m3/h
隔膜泵 3.4 m3/
重量 kg
45
結(jié)合了 pfeiffer 與 adixen 兩家檢漏儀的技術(shù)優(yōu)勢, 上海伯東德國 pfeiffer 推出全系列新型號(hào)氦質(zhì)譜檢漏儀, 從便攜式檢漏儀到工作臺(tái)式檢漏儀滿足各種不同的應(yīng)用.氦質(zhì)譜檢漏儀替代傳統(tǒng)泡沫檢漏和壓差檢漏, 利用氦氣作為示蹤氣體可定位, 定量漏點(diǎn).氦質(zhì)譜檢漏儀滿足單機(jī)檢漏, 也可集成在檢漏系統(tǒng)或 plc.推薦氦質(zhì)譜檢漏儀應(yīng)用 >>
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