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碳化硅有黑，綠兩種。冶煉綠碳化硅時(shí)，要求硅質(zhì)原料中二氧化硅的含量盡可能高，雜質(zhì)含量盡量低。生產(chǎn)黑碳化硅時(shí)，硅質(zhì)原料中的二氧化硅可稍低一些。對(duì)石油焦的要求是固定碳含量盡可能高，灰分含量小于1.2%，揮發(fā)分小于12.0%，石油焦的粒度通常在2mm或1.5mm以下。木屑主要用于調(diào)整爐料的透氣性能，通常的加入量是3%-5%，僅在冶煉綠碳化硅時(shí)使用。
碳化硅的硬度僅次于金剛石，大量回收碳化硅價(jià)格，可以作為砂輪等磨具的磨料，因此對(duì)其進(jìn)行機(jī)械加工主要是利用金剛石砂輪磨削、研磨和拋光，其中金剛石砂輪磨削加工的效率較高，是加工sic的重要手段。但是sic材料不僅具有高硬度的特點(diǎn)，常期回收碳化硅多少錢，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面*碎層，福建回收碳化硅，且產(chǎn)生較為嚴(yán)重的表面與亞表層損傷，影響加工精度。因此，深入研究sic磨削機(jī)理與亞表面損傷對(duì)于提高sic磨削加工效率和表面質(zhì)量具有重要意義。
碳化硅（sic）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的根基是芯片，長(zhǎng)期回收碳化硅價(jià)格，制做芯片的關(guān)鍵原材料依照歷史背景分成：一代半導(dǎo)體材料（絕大多數(shù)為現(xiàn)階段普遍應(yīng)用的高純硅），二代化合物半導(dǎo)體材料（、磷化銦），第三代化合物半導(dǎo)體材料（碳化硅、滲氮）。碳化硅因其優(yōu)異的工藝性能：高帶隙（相匹配高穿透靜電場(chǎng)和高功率）、高導(dǎo)電率、高導(dǎo)熱系數(shù)，將是將來(lái)較被普遍應(yīng)用的制做半導(dǎo)體材料芯片的基本原材料。
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