C2000哈氏合金板

哈氏合金c2000性能
在500-600℃溫度范圍內(nèi)，c2000合金中能夠沉淀析出單一類(lèi)型的pt2mo型超點(diǎn)陣相，且其析出速率緩慢。該類(lèi)型超點(diǎn)陣相的尺寸及其體積分?jǐn)?shù)均隨時(shí)效溫度以及時(shí)效時(shí)間的增加而增大。在 650-800 ℃/100 h 條件下，c2000 合金中未沉淀析出任何類(lèi)型的超點(diǎn)陣相，只伴隨有富 mo 相(晶界)和碳化物(晶內(nèi))的析出。
705 oc/16 h+605 oc/32 h 前的冷變形促進(jìn)了 c2000 合金中顆粒狀 σ-fecr相沿孿晶處析出。600℃/100-500 h 時(shí)效前的冷變形延緩了 pt2mo 型超點(diǎn)陣相的析出速率，而 550℃/200 h 時(shí)效前的冷變形卻加速了 pt2mo 型超點(diǎn)陣相的析出速率。這主要?dú)w因于等溫時(shí)效前的冷變形改變了 pt2mo 型超點(diǎn)陣相析出時(shí)的等溫ttt 曲線(xiàn)的位置，使其“鼻尖”溫度更接近 550 ℃ 而遠(yuǎn)離 600℃。