晶片的雙層CVD石墨烯薄膜4片裝

基于sio2/si晶片的雙層cvd石墨烯薄膜
將兩層單層cvd石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的sio 2 / si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 4片
將每個石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上
我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98％
石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機殘留物
每個石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層）
由于沒有a-b堆疊順序。石墨烯薄膜彼此隨機取向。
薄層電阻：215-700ω/平方
硅/二氧化硅晶圓的特性：
氧化層厚度：285nm
顏色：紫羅蘭色
晶圓厚度：525微米
電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號/摻雜劑：p /硼
方向：lt;100gt;
前表面：拋光
背面：蝕刻
應(yīng)用：
石墨烯電子和晶體管
導(dǎo)電涂料
航空航天工業(yè)應(yīng)用
支持金屬催化劑
微執(zhí)行器
mems和nems
化學(xué)和生物傳感器
基于石墨烯的多功能材料
石墨烯研究