EM78F811N義隆單片機(jī)開發(fā)

em78f811n義隆單片機(jī)開發(fā)
em78f811n是采用低功耗高速cmos和高抗擾性工藝設(shè)計開發(fā)的8位微控制器。該控制器有片內(nèi)1kx13位電快閃存儲器和128*8位的系統(tǒng)可編程eeprom。
有強(qiáng)大功能的flash-rom特性，em78f811n提供了一個方便的方法來提升和驗證客戶的程式。此外，
flash-rom器件提供了簡單而有效的用戶升級優(yōu)勢，用于發(fā)展編程工具。用戶可以用elan的作者很容易的編寫它的發(fā)展代碼。
cpu 配置
* 1k*13 位元片上閃存存儲器
* 48*8 位元片上寄存器 (sram)
* 128 字節(jié)系統(tǒng)內(nèi)可編程eeprom*
*持久性: 100,000 寫/擦循環(huán)
* 超過十年的數(shù)據(jù)保持
* 8層堆棧用于子程序嵌套
* 在5v / 4 mhz低于1 ma
* 在3v / 32khz，典型值11 *a
* 睡眠模式，典型值為1 *a
* i/o 端口配置
* 3 雙向i/o 端口: p5, p6, 和p8
* 14 i/o 引腳
* 喚醒端口: p6
* 高下沉端口 : p6
* 6個可編程上拉i/o引腳
* 5個可編程下拉i/o引腳
* 6個可編程漏極開路 i/o 引腳
* 帶有喚醒的外部中斷p60
* 操作電壓范圍
* 2.2v~5.5v在-40*c~85*c (工業(yè)級)
* 操作頻率范圍 (基于兩個時鐘)
* 晶體模式:
dc~16 mhz @ 4v~5.5v
dc~8 mhz @ 2.5v~5.5v
dc~4 mhz @ 2.2v~5.5v
dc~1 mhz @ 2.2v~5.5v
dc~455 khz @ 2.2v~5.5v
* erc模式:
dc~10 khz~1.75 mhz @ 3v~5.5v
* irc模式 :
dc~16 mhz @ 3v~5.5v;
dc~8 mhz @ 2.5v~5.5v
dc~4 mhz @ 2.2v~5.5v
dc~1 mhz @ 2.2v~5.5v
dc~455 khz @ 2.2v~5.5v