大幅簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，東科芯片原廠量產(chǎn)65W合封氮化鎵芯片

在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷拓展的過程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器 + 驅(qū)動(dòng) + 氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，產(chǎn)品開發(fā)難度相對(duì)較大，而且成本也比較高。
為了實(shí)現(xiàn)較高的功率密度并降低外圍器件數(shù)量，目前已有許多電源芯片廠商在著手布局集成度較高的合封氮化鎵芯片產(chǎn)品線，用一顆芯片完成氮化鎵功率器件、pwm 控制、驅(qū)動(dòng)、保護(hù)等功能，既能夠提升整體方案的性能，同時(shí)也能減少 pcb 板的占用，縮小尺寸并減少物料成本。
目前，合封氮化鎵芯片已在小功率快充產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)規(guī)?；逃?。而隨著氮化鎵合封技術(shù)的不斷發(fā)展，已有多家芯片原廠推出了可用于 65w 功率段的合封氮化鎵芯片。
東科半導(dǎo)體面向 65w 快充應(yīng)用，推出了 dk065g 合封氮化鎵芯片，內(nèi)部集成了 650v 260m ω 氮化鎵開關(guān)管，較高支持 250khz 開關(guān)頻率。芯片通過檢測(cè)功率管漏較和源較之間的電壓（vds），當(dāng) vds 達(dá)到其較低值時(shí)開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（emi）。
東科 dk065g 采用 dfn8*8 封裝，待機(jī)功耗** 50mw，采用谷底開通以降低開關(guān)損耗，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路，保證高低壓下較大輸出功率一致，可廣泛應(yīng)用于高功率快充充電器、筆記本平板等產(chǎn)品中。
傳統(tǒng)的 65w 氮化鎵快充方案包括控制器 + 驅(qū)動(dòng)器 +gan 功率器件等，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實(shí)現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅使電源芯片外圍器件數(shù)量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數(shù)，電源工程師在應(yīng)用過程中能較加方便、快捷地完成調(diào)試，加速產(chǎn)品研發(fā)周期。
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